GaN是制造5G芯片的材料，氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發(fā)出紫外光?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)As原子核外電子排布式為[Ar]

3d¹⁰4s²4p³

3d¹⁰4s²4p³

，下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層的一個電子所需能量最小是

D

D

（填標號）。
A.
B.
C.
D.
（2）8-羥基喹啉鋁（分子式C₂₇H₁₈AlN₃O₃）用于 發(fā)光材料及電子傳輸材料，可由LiAlH₄與
（8一羥基喹啉）合成。LiAlH₄中陰離子的空間構(gòu)型為

正四面體

正四面體

；
所含元素中電負性最大的是

O

O

（填元素符號），C、N、O的雜化方式依次為

sp²

sp²

、

sp²

sp²

和

sp³

sp³

。
（3）已知下列化合物的熔點：

化合物	AlF3	GaF3	AlCl3
熔點/℃	1040	1000	194

①表中鹵化物的熔點產(chǎn)生差異的原因是

AlF₃、GaF₃為離子晶體，AlCl₃為分子晶體，晶格能：AlF₃＞GaF₃

AlF₃、GaF₃為離子晶體，AlCl₃為分子晶體，晶格能：AlF₃＞GaF₃

。
②熔融AlCl₃時可生成具有揮發(fā)性的二聚體Al₂Cl₆，二聚體Al₂Cl₆的結(jié)構(gòu)式為

；其中Al的配位數(shù)為

4

4

。