長(zhǎng)江存儲(chǔ)是我國(guó)唯一一家能夠獨(dú)立生產(chǎn)3DNAND閃存的公司，其先進(jìn)的晶棧Xtacking?技術(shù)使得3DNAND閃存具有極佳的性能和極長(zhǎng)的壽命．為了應(yīng)對(duì)第四季度3DNAND閃存顆粒庫(kù)存積壓的情況，某下游閃存封裝公司擬對(duì)產(chǎn)能進(jìn)行調(diào)整，已知封裝閃存的固定成本為300萬(wàn)元，每封裝x萬(wàn)片，還需要C（x）萬(wàn)元的變動(dòng)成本，通過(guò)調(diào)研得知，當(dāng)x不超過(guò)120萬(wàn)片時(shí)，C（x）=0.1x²+130x；當(dāng)x超過(guò)120萬(wàn)片時(shí)，C（x）=151x+
25600
x
-1350，封裝好后的閃存顆粒售價(jià)為150元/片，且能全部售完．
（1）求公司獲得的利潤(rùn)L（x）的函數(shù)解析式；
（2）封裝多少萬(wàn)片時(shí)，公司可獲得最大利潤(rùn)？

【答案】見(jiàn)試題解答內(nèi)容

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：113引用：13難度：0.6

相似題

1．學(xué)校開(kāi)展勞動(dòng)實(shí)習(xí)課，某班將在如圖的曲邊梯形ABCD的場(chǎng)地中建矩形花圃EBFH，經(jīng)建系測(cè)繪，收集到以下信息：D（0，0），A（2，0），B（2，8），C（-2，8），曲邊CD可近似看作是函數(shù)y=-x³圖象的一段，AD⊥AB，AD∥BC．現(xiàn)要求矩形花圃EBFH的頂點(diǎn)E，F(xiàn)，H分別落在邊AB，邊BC和曲邊CD上，若H點(diǎn)的橫坐標(biāo)為x且x∈（-2，-1]，花圃EBFH的面積S與x的函數(shù)關(guān)系式記為S（x）．則（　　）

A．S（x）在x∈（-2，-1]上單調(diào)遞增

B．S（x）在x∈（-2，-1]上先單調(diào)遞增再單調(diào)遞減

C．S（x）在x∈（-2，-1）上存在最大值

D．S（x）最大為21

發(fā)布：2024/11/11 8:0:1組卷：13引用：4難度：0.5

2．對(duì)于任意兩個(gè)正數(shù)u,v（u＜v），記曲線
y
=
1
x
與直線x=u,x=v,x軸圍成的曲邊梯形的面積為L(zhǎng)（u,v），并約定L（u,u）=0和L（u,v）=-L（v,u），德國(guó)數(shù)學(xué)家萊布尼茨（Leibniz）最早發(fā)現(xiàn)L（1，x）=lnx.關(guān)于L（u,v），下列說(shuō)法正確的是（　?。?/h2>
A．
L
（
1
4
，
1
2
）
=
L
（
4
，
8
）
B．L（2¹⁰⁰，3¹⁰⁰）=100L（2，3）
C．L（u^u，v^u）＞v-u
D．2L（u,v）＜
v
u
-
u
v
發(fā)布：2024/11/11 8:0:1組卷：114引用：3難度：0.6
解析
3．曲邊梯形由曲線y=e^x，y=0，x=1，x=5所圍成，過(guò)曲線y=e^x，x∈[1，5]上一點(diǎn)P作切線，使得此切線從曲邊梯形上切出一個(gè)面積最大的普通梯形，這時(shí)點(diǎn)P的坐標(biāo)是
．
發(fā)布：2024/11/11 8:0:1組卷：286引用：8難度：0.7
解析

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