晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用過量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時得到一種可燃性氣態(tài)；
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3（Si+3HCl=SiHCl3+H2）
③SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl3能與水強烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請回答：
（1）第一步制取硅的化學方程式2C+SiO2 高溫 Si+2CO↑2C+SiO2 高溫 Si+2CO↑．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3（沸點33.0℃）中含有少量SiCl4（沸點57.6℃），提純SiHCl3可采用蒸餾蒸餾的方法．
（3）實驗室用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示（加熱和夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是濃硫酸濃硫酸，裝置C需水浴加熱，目的是使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)．
②反應(yīng)一段時間后，裝置D中可觀察到有晶體硅生成，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化，D中發(fā)生的反應(yīng)的化學方程式是SiHCl3+H2=Si+3HClSiHCl3+H2=Si+3HCl．
③為保證實驗的成功，操作的關(guān)鍵除題中已告知的之外，你認為最重要的還有：裝置要嚴密裝置要嚴密，控制好溫度控制好溫度．（答出兩點）
高溫
高溫
【答案】2C+SiO2 Si+2CO↑；蒸餾；濃硫酸；使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)；SiHCl3與過量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化；SiHCl3+H2=Si+3HCl；裝置要嚴密；控制好溫度
高溫
【解答】
【點評】
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