圖甲表示噬菌體侵染細(xì)菌的過(guò)程，圖乙所示的是1952年赫爾希和蔡斯利用同位素標(biāo)記法完成的噬菌體侵染細(xì)菌實(shí)驗(yàn)的部分實(shí)驗(yàn)過(guò)程。請(qǐng)分析回答下列問(wèn)題：

（1）根據(jù)圖甲寫出噬菌體侵染細(xì)菌的正確順序是

B→D→A→E→C

B→D→A→E→C

。（用“→”和圖甲中的字母表示）
（2）根據(jù)圖乙實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，用于標(biāo)記噬菌體的同位素是

³²P

³²P

，請(qǐng)完成標(biāo)記T2噬菌體的操作步驟：
①配制適合細(xì)菌生長(zhǎng)的培養(yǎng)基，在培養(yǎng)基中加入

用³²P標(biāo)記的（4種）脫氧核苷酸

用³²P標(biāo)記的（4種）脫氧核苷酸

，作為合成DNA的原料。②在培養(yǎng)基中接種細(xì)菌，培養(yǎng)一段時(shí)間后，再用此細(xì)菌培養(yǎng)T2噬菌體。
（3）圖乙實(shí)驗(yàn)中新形成的（全部/絕大多數(shù)/極少數(shù)）

極少數(shù)

極少數(shù)

噬菌體含有放射性。該實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，經(jīng)離心處理后上清液中具有很低的放射性，請(qǐng)分析該現(xiàn)象出現(xiàn)的可能原因：

培養(yǎng)時(shí)間過(guò)短，部分噬菌體未侵入細(xì)菌內(nèi)

培養(yǎng)時(shí)間過(guò)短，部分噬菌體未侵入細(xì)菌內(nèi)

（答出一種即可）。
（4）某實(shí)驗(yàn)小組嘗試用³⁵S標(biāo)記的噬菌體侵染含³¹P和³²S的細(xì)菌來(lái)重復(fù)赫爾希和蔡斯的實(shí)驗(yàn)，該實(shí)驗(yàn)所獲得的子代噬菌體含有上述哪些元素

³¹P、³²S

³¹P、³²S

（從“³⁵S、³¹P、³²S”中選擇作答，要求答全）。