由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途，回答下列問(wèn)題：
（1）鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷4s²或[Ar]3d⁷4s²

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷4s²或[Ar]3d⁷4s²

，P、S、C1的第一電離能由大到小順序?yàn)?!--BA-->

Cl＞P＞S

Cl＞P＞S

。
（2）SCl₂ 分子中的中心原子雜化軌道類(lèi)型是

sp³

sp³

，該分子空間構(gòu)型為

V形

V形

。
（3）Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素易與CO 形成配合物，化學(xué)式遵循18 電子規(guī)則：中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18，如Ni 與CO 形成配合物化學(xué)式為Ni （CO）₄，則Fe 與CO 形成配合物化學(xué)式為

Fe（CO）₅

Fe（CO）₅

。Ni（CO）₄中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為

1：1

1：1

，已知：Ni（CO）₄熔點(diǎn)-19.3℃，沸點(diǎn)43℃，則Ni （CO）₄為

分子

分子

晶體。
（4）已知NiO 的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示。

①NiO的晶體結(jié)構(gòu)可描述為：氧原子位于面心和頂點(diǎn)，氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙，鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的

正八面

正八面

體空隙中。
②已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同，其中Mg²⁺和Ni²⁺的離子半徑分別為66pm 和69pm。則熔點(diǎn)：MgO

＞

＞

  NiO（ 填“＞”、“＜”或“=”），理由是

Mg²⁺半徑比 Ni²⁺小，MgO 的晶格能比 NiO 大

Mg²⁺半徑比 Ni²⁺小，MgO 的晶格能比 NiO 大

。
③一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O^2-作密置單層排列，Ni²⁺填充O^2-形成的正三角形空隙中（如圖2），已知O^2-的半徑為am,每平方米面積上分散的NiO 的質(zhì)量為

25

3

2

a

2

N

A

25

3

2

a

2

N

A

g.（用a、N_A表示）