下列對物質的主要用途、原因解釋的描述都正確的是（ ?。?br />
| 選項 | 物質 | 主要用途 | 原因解釋 |
| A | 晶體硅 | 高純硅可用于制備光導纖維、光電池、集成電路和計算機芯片 | 硅是良好的半導體材料 |
| B | 金屬鋁 | 高鐵車廂采用鋁合金材料 | 鋁與氧氣不反應 |
| C | 氯氣 | 與石灰乳或燒堿反應制備消毒劑 | 氯氣有強氧化性 |
| D | 金屬鈉 | 高溫時能從熔融TiCl4中置換出金屬Ti | 鈉具有很強的還原性 |
【答案】D
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有，未經書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/8/6 8:0:9組卷：16引用：6難度：0.7
相似題
-
1．a是一種難溶于水的氧化物，能熔于熔融態(tài)的燒堿，生成易溶于水的化合物b,將少量b溶液滴入鹽酸中，最終能生成一種白色的膠狀沉淀，則a為（ ）
發(fā)布：2024/12/21 8:0:2組卷：8引用：1難度：0.9 -
2．含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中，與其他礦物共同構成巖石．晶體硅（熔點 1410℃）用途廣泛，制取與提純方法有多種．
（1）煉鋼開始和結束階段都可能發(fā)生反應：Si+2FeO2Fe+SiO2，其目的是高溫．
A．得到副產品硅酸鹽水泥
B．制取SiO2，提升鋼的硬度
C．除去生鐵中過多的Si雜質
D．除過量FeO，防止鋼變脆
（2）一種由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）SiCl4Cl2460℃SiCl4（純）蒸餾Si（純），在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：H21100℃．
對于鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX4）下列敘述正確的是
A．NaX易水解
B．SiX4是共價化合物
C．NaX的熔點一般高于SiX4 D．SiF4晶體是由共價鍵形成的空間網狀結構
（3）粗硅經系列反應可生成硅烷（SiH4），硅烷分解也可以生成高純硅．硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷，所以Si元素的非金屬性弱于C元素，用原子結構解釋其原因：．
（4）此外，還可以將粗硅轉化成三氯氫硅（SiHCl3），通過反應：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）制得高純硅．不同溫度下，SiHCl3的平衡轉化率隨反應物的投料比（反應初始時，各反應物的物質的量之比）的變化關系如下圖所示．下列說法正確的是（填字母序號）．
a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標表示的投料比應該是n（SiHCl3）n（H2）
c.實際生產中為提高SiHCl3的利用率，可適當降低壓強
（5）硅元素最高價氧化物對應的水化物是H2SiO3．室溫下，0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液，堿性更強的是，其原因是．
已知：H2SiO3：Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3：Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：89引用：1難度：0.5 -
3．硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應用．回答下列問題．
（1）高純硅是現(xiàn)代信息、半導體和光伏發(fā)電等產業(yè)都需要的基礎材料．工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應如圖．
①還原爐中發(fā)生主要反應的化學方程式為發(fā)生的主要反應 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐 ．該工藝中可循環(huán)使用的物質為（填化學式）．用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產碳化硅，該反應的化學方程式為．
②在流化床反應的產物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，有關物質的沸點數(shù)據如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和．
③SiHCl3極易水解，其完全水解的化學方程式為物質 Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9 ．
（2）氮化硅（Si3N4）是一種高溫結構材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應制取．粉末狀Si3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理，可以制得結構十分緊密、對空氣和水都相當穩(wěn)定的固體材料，同時還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2．
①由SiCl4和NH3反應制取Si3N4的化學方程式為．
②四氯化硅和氮氣在氫氣氣氛保護下，加強熱發(fā)生反應，使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該反應的化學方程式為．
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進行熱處理的過程中，除生成Mg3N2外，還可能生成物質（填化學式）．熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：29引用：1難度：0.5
把好題分享給你的好友吧~~